YES-G500 (Electron Free/Downstream/RIE)

• Компактная автоматическая установка низкочастотной плазменной очистки поверхности для НИОКР и производства
• Назначение: подготовка поверхности контактных площадок для сварки; удаление загрязнений (флюса) или стерилизация поверхностей; обеспечение адгезии между двумя поверхностями; получение гидрофильных поверхностей за счет изменения поверхностного напряжения; повышение биологической совместимости; улучшение параметров полимеров образованием поперечных связей для снижения трения в процессе работы приборов
• Пять конфигураций камеры (электродов) для обеспечения различных видов обработки: режимы мягкой анизотропной обработки —  Electron Free/Downstream Mode (подложки на отдельном электроде под плавающим потенциалом, разрядная зона образована двумя отдельными сетчатыми электродами), Active Mode (подложка на заземленном электроде внутри разрядной зоны), RIE Mode (подложка на нагруженном электроде внутри разрядной зоны); режимы изотропной обработки —  Active Ion Trap (одложка между двумя нагруженными электродами, у подложки накаплеваются ионы, проходящие через сетчатые электроды), Downstream Ion Trap (подложка между двумя заземленными электродами)
• Процессная камера: алюминиевая, внутренние размеры — (457х457х210) мм, две полки для обработки изделий  
• Пластины, части пластин, чипы, нестандартные подложки
• Источник плазмы: (100÷500)Вт, 40кГц, с системой автоматического согласования
• Температура подложки: (40÷145)°С
• Газовая система: до 4 газовых линий (3 – стандартно, 1 – опционно)
• Применяемые газы: O₂, N₂, Ar;расход процессных газов — (1,02÷2,04) л/ч при производительности вакуумных насосов (20,4÷32,3) м³/ч
• Система управления: компьютерная с сенсорным экраном; система контроля температуры
• Азот: 28,3 л/мин
• Электроэнергия: (208÷230)В, 20А, 1ф, 50/60Гц
• Габариты: (597×712х1038) мм
• Вес: 147 кг
• Дополнительно и опционно: до 3-х РРГ (для газовых смесей); различные варианты вакуумных насосов

к списку